§ 8. Домішкова провідність напівпровідників. Електронно-дірковий перехід

Підключимо кристал із сформованим у ньому p-n-переходом до джерела струму так, щоб p-ділянка була з’єднана з позитивним полюсом джерела, а n-ділянка — з негативним.

Електрони почнуть рух до позитивного полюсу джерела струму, а дірки — до негативного. Запірний шар поповниться вільними електронами і дірками, тому його опір зменшиться. Оскільки через місце контакту рухаються основні носії струму (електрони з n-ділянки, дірки з p-ділянки), яких багато, то в колі існує помітний електричний струм.

Підключимо кристал зі сформованим у ньому p-n-переходом до джерела струму так, щоб p-ділянка була з’єднана з негативним полюсом джерела, а n-ділянка — з позитивним.

Електрони почнуть рух до позитивного полюса джерела струму, дірки — до негативного. Запірний шар розшириться, і його опір збільшиться. Через місце контакту рухаються тільки неосновні носії струму (вільні електрони з p-ділянки, дірки з n-ділянки), яких дуже мало, тому сила зворотного струму незрівнянно менша від прямого.